[3] 贾威.碳化硅外延材料生长及表征技术研究[D].西安电子科技大学.2006: 388.
[4] 韩茹.碳化硅MOSFET的高温模型及关键工艺研究[D].2006: 401.
[5] 王世忠,徐良瑛,束碧云等.SiC单晶的性质、生长及应用[J].1999,(2): 179.
[6] 胡燕飞,孔凡杰,周春.3C-SiC的结构和热力学性质胡燕飞[J].2008,(10): 510.
[7] 贾威,张玉明,张义门等.n型4H-SiC材料有效载流子浓度和霍尔迁移率温度特性的研究[J].2007,(1): 17-19.
[8] 王光红.碳化硅晶体载流子浓度的分析及多孔碳化硅的制备[D].南开大学.2010: 22.
[9] 韩茹.碳化硅器件的温度特性及其关键工艺研究[D].西安电子科技大学.2010: 50-51.
[10] 邵永富,陈自姚,彭瑞伍.电化学C-V法测量半导体材料载流子浓度分布[J].1982,(2): 14.
[11] 杨晶晶,何秀坤,曹全喜.施亚掺氮6H—SiC单晶的电阻率、迁移率及自由载流子浓度[J].天津:天津电子材料研究所.2006,(3): 500.
[12] Lee J Y, Kim H S, Lee W J, et al, Growth and characteristics of annealed ZnO layer on 6H-SiC substrate, Journal of Crystal Growth [J]. 2010,(312): 2393-2397. 温度对SiC半导体材料载流子浓度文献综述和参考文献(3):http://www.751com.cn/wenxian/lunwen_41985.html