为了克服SOI器件在抗总剂量辐射性能方面不足的缺陷，国外进行了各方面的研究并取得了突破性的进展。美国Atmel公司在很多年前就推出了抗总剂量辐射能力超过10Mrad（Si），抗中子辐射能力达1014/cm2的SOI数模混合集成电路；美国Sandia国家实验室也在抗辐射SOI器件方面进行了很多研究，研制出各种高性能的抗辐射集成电路[11]。而我国在抗辐射SOI技术应用领域的因为研究起步较晚投入不足，跟国外还存在很大的差距。目前国内一些单位如中国科学院上海微系统与信息技术研究所、中国科学院微电子研究所等，在SOI材料以及SOI电路的研制上都做过一些工作并取得了一定的进展。67811

Si离子注入因其与现有的硅平面工艺完全兼容，是对SOI材料进行改性加固时较为常用的技术手段。不同的加固改性工艺会使得不同工艺下获得的SOI材料其埋氧层产生不同的反应，因此需要采用不同的工艺处理方法[12]。SIMOX SOI材料的加固经历了大量的研究，包括氟离子注入、氮离子注入、氮氧离子共注入、硅离子注入辅以高温退火的热过程等论文网，都曾获得了引人注目的结论[13-15]，尤以硅离子注入效果最佳。然而Si离子注入法的工艺参数对SOI材料抗辐射性能的影响是复杂的，需要进一步研究找出最优化的工艺参数。

参考文献

[1]　黄涛. 高可靠标准单元库的设计与验证[D]. 湖南：国防科学技术大学, 2009.

[2]　陈萱, 李云. 世界航天科技发展现状与趋势[J]. 中国航天, 2009 (011): 28-30.

[3]  Benton E R, Benton E V. Space radiation dosimetry in low-Earth orbit and 

beyond[J]. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2001, 184(1): 255-294.

[4]　韩郑生. 抗辐射集成电路概论[M]. 北京：清华大学出版社, 2011. 9-30

[5]  Iwai H, Ohmi S. Silicon integrated circuit technology from past to future[J]. Microelectronics Reliability, 2002, 42(4): 465-491.   

[6]  Shahidi G, Ajmera A, Assaderaghi F, et al. Mainstreaming of the SOI technology[C]//SOI Conference, 1999. Proceedings. 1999 IEEE International. IEEE, 1999: 1-4.

[7]　林成鲁. SOI—纳米技术时代的高端硅基材料[J]. 微电子学, 2008, 38(1): 44-49.

[8]  Izumi K, Doken M, Ariyoshi H. CMOS devices fabricated on buried SiO 2 layers formed by oxygen implantation into silicon[J]. Electronics Letters, 1978, 14(18): 593-594.

[9]  Lasky J B, Stiffler S R, White F R, et al. Silicon-on-insulator (SOI) by bonding and etch-back[C]//Electron Devices Meeting, 1985 International. IEEE, 1985, 31: 684-687.

[10]　王文宇, 郑健. 厚膜 SOI 材料顶层硅过渡区减薄方法[J]. 中国科技论文在线.

 [11]  Leray J L, Dupont-Nivet E, Péré J F, et al. CMOS/SOI hardening at 100 Mrad (SiO2)[J]. Nuclear Science, IEEE Transactions on, 1990, 37(6): 2013-2019.

[12]　武爱民, 陈静, 张恩霞, 等. 注硅工艺对 UNIBOND SOI 材料抗辐照性能的影响[J]. 功能材料，2007（38）:866-867.

[13]　郑中山, 刘忠立, 张国强, 等. 应用埋氧层注氮工艺对 SIMOX SOI 材料辐射加固的研究[J]. 2011.

[14]　张恩霞,钱聪,张正选,王曦,张国强,李宁,郑中山,刘忠立.注氮工艺对SOI材料抗辐照性能的影响[J].半导体学报,2005,(06):1269-1272.  

摘要：分别采用一步和分步注入的工艺制备了氧氮共注形成SOI(SIMON)材料,并对退火后的材料进行了二次离子质谱(SIMS)分析,结果发现退火之后氮原子大多数聚集在SiO2/Si界面处.为了分析材料的抗辐照加固效果,分别在不同方法制作的SIMON材料上制作了nMOS场效应晶体管,并测试了晶体管辐射前后的转移特性.实验结果表明,注氮工艺对SOI材料的抗辐照性能有显著的影响. SOI材料抗总剂量辐射性能国内外研究现状和参考文献:http://www.751com.cn/yanjiu/lunwen_76163.html