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GaAsMMIC国内外研究现状和参考文献

时间:2021-04-25 21:36来源:毕业论文
国外产品情况国外宽带产品种类比较多,比较有代表性的宽带开关产品如图I.3所示,下面介绍几种典型产品: Hittite公司的HMC347吸收式单刀双掷开关芯片,DC-20GHz频率范围内插入损耗

国外产品情况国外宽带产品种类比较多,比较有代表性的宽带开关产品如图I.3所示,下面介绍几种典型产品:

Hittite公司的HMC347吸收式单刀双掷开关芯片,DC-20GHz频率范围内插入损耗1. 6dB,隔离度40dB,输入输出电压驻波比2:1;

Bookham  公司的P35—4233反射式单刀三掷开关芯片,DC-18GHz插入损耗2.2dB,隔离度55dB;

Triquent TGS8250-SCC反射式单刀双掷开关芯片,DC-18GHz插入损耗2dB,隔离度39dB;66370

Agilent HMMC2027吸收式单刀双掷开关芯片,Dc-26.5GHz插入损耗2.2dB,隔离度30dB。

国外部分GaAs MMIC宽带开关产品

2  国内产品情况

国内GaAs MMIC相关研究工作主要由河北半导体研究所和南京电子器件研究所承担.近年来国产GaAs MMIC发展相当迅速,开关、移相器、衰减器、低噪声放大器、混频器、VCO、功率放大器等产品逐渐系列化、规模化。GaAs MMIC宽带开关由河北半导体研究所和南京电子器件研究所在半导体情报和固体电子学研究与进展杂志分别报道过。图1. 4是河北半导体研究所的一款宽带单刀双掷开关照片。图1.5足南京电子器件研究所的一款宽带单刀双掷开关照片。

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