最近几年，不同国家的研究小组对于BiFeO3开展了大量的研究，通过改进陶瓷的制备工艺、严格控制BiFeO3薄膜生长过程中的氧分压和衬底温度，成功地避免了样品在制备过程中Fe3+的变价和大量氧空位的形成，因而极大地改善了样品的漏电流性能，在室温下能够观察到BiFeO3样品的饱和电滞回线(P-E回线)，为BiFeO3的应用奠定了坚实的基础[13,14,15]。7772
 图 1-4  BiFeO3陶瓷的电滞回线，样品采用普通固相烧结方法，用稀硝酸清洗粉末中的杂相，然后形成单相BiFeO3陶瓷[16]。
 -图1-5采用快速升温烧结方法在不同温度下合成的BiFeO3陶瓷的电滞回线。图中温度是相应样品的烧结温度[17]。
2000年，M. Mahesh Kumar和V. R. Palkara成功制备了单相和具有较好绝缘性的BiFeO3陶瓷，拉开了近年BiFeO3研究热潮的序幕[16]。他们采用传统的固相陶瓷烧结方法在810℃烧结一小时制备粉末，用稀硝酸把粉末中的杂相清洗干净，然后压成陶瓷靶在550℃退火。BiFeO3陶瓷的P-V回线如图1-4所示，虽然陶瓷的绝缘性并不是很好，最大击穿电场在15kV/cm附近，P-V回线也并没有饱和，但是和先前的成绩相比已经是一个很大的进步。此后，V. R. Palkar等人对BiFeO3的研究做出了重要贡献[18]。
2004年， Y. P. Wang等提出了快速烧结BiFeO3陶瓷法，采用快速热处理炉迅速升温到烧结温度，采用的升温速度大约为100℃/s。如图1-5所示，陶瓷的击穿电场大于100kV/cm，因为此能够测到BiFeO3陶瓷饱和P-V回线 BiFeO3国内外研究现状:http://www.751com.cn/yanjiu/lunwen_5848.html