光电探测技术是当今社会发展的重点之一。在本次项目中，光电法是测试弹丸起爆时间的关键方法。光电探测技术是根据被探测对象辐射或反射的光信号特征来探测或识别对象的一种技术。光子技术与微电子技术两者互相交叉、渗透和补充，在现代信息技术产业中占据十分重要的地位。光电技术在军事运用中有探测精确、响应速度快、环境适应能力强的优点。光电探测技术是已经成为了一种重要技术，在现代战争中得到了广泛的运用，它包括光电侦查、探测、搜索、跟踪、夜视、导航和制导等多种功能。光电探测技术包括从紫外光、可见光、红外光等多种波段的光信号的探测[5]。30736
在光电传感器中，APD俗称雪崩二极管，它不同与PIN光电二极管相比。雪崩光电二极管具有重量轻、体积小、可靠性高、功耗低、动态范围大和抗强磁场干扰等优点。由于它具有内倍增效应，因此雪崩二极管的响应时间特别短，同时它还对微弱光信号有相当高的感知度。因此对于光线的远距离探测，雪崩二极管可以保证系统的探测准度，可靠性更强，比起普通PIN光电探测器能使整个系统有更好的信噪比。它目前是近红外区和可见光的主要探测器之一。雪崩光电二级管因其具有内部增益的特性，可以应用于长距离探测或者接收光功率较小的光纤通信系统。这方面很多实验都给出了肯定，雪崩光电二极管的研究有助于提高我国光电探测技术水平。由于APD探测有良好的前景，故而对其的研究比较深入。在制作工艺上，APD管的Si材料技术已经可以做到相对成熟，论文网被广泛应用于微电子领域。另一种常见材料是Ge，相比较而言，它具有传输低色散，低损耗的优势，但是这种雪崩管比较难加工。除了传统材质的APD管，新型InGaAs APD管是一种分别吸收、渐变、增益的结构，这种APD的设计是雪崩过程由空穴碰撞而在n型InP中形成。这种结构可以在某一特定需要的区域内进行参杂。这样可以消除载流子浓度与倍增区厚度之间的关系，同时可以提高响应范围。它能以较窄的吸收层获得比较高的量子效率[6-7]。 雪崩光电探测器技术国内外研究现状:http://www.751com.cn/yanjiu/lunwen_26610.html