二十世纪八十年代末，法国巴黎大学物理系 Fert 教授的科研组中有一位巴西学者 Baibich，他利用分子束外延方法来制备(001)Fe/(001)Cr 超晶格薄膜，衬底为GaAs(001)，实验结果表明获得的超晶格薄膜的磁致电阻高达50%[7]，被称为巨磁电阻效应(Gaint Magnetoresitance,GMR)。这一结果立即引起了科学家们的重视。1992 年，科学家们在研究部分互溶金属颗粒膜时也发现了其中的负磁致电阻效应，它们的负MR值在低温时高达 60%。1993年，论文网有人在实验中得到这样的结果：当外加磁场为5T时，同样为钙钛矿的La2/3Bal/3MnO3铁磁性薄膜的磁致电阻值达到了 60%[8]。接下来美国BIM公司在LAO(100)衬底上制备 La-Ca-Mn-O 薄膜的实验中发现，该薄膜在温度为77K下的电阻变化率（△R/RH）竟然达到了 12700%，这被称为庞磁电阻效应(Colossal Magnetoresistance,CMR) [9]。此后，人们将研究重点放到了巨磁电阻和庞磁电阻材料的研究与开发利用上。25363
目前磁电阻材料大部分用在磁盘存储器的读出磁头、计算机的随机存储器和磁电阻传感器制造等方面。而且，人们敏锐地观察到这种材料在电磁器件和磁电子学等领域存在着广阔的应用前景，纷纷将注意力转移到研究与开发巨磁电阻材料上，这使得磁电阻材料成为了一个新兴的科学前沿领域。 磁电阻效应的研究现状:http://www.751com.cn/yanjiu/lunwen_19108.html