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ANSYS三维封装结构有限元模拟(4)

时间:2019-10-10 21:21来源:毕业论文
三文封装目前之所以越来越受到广泛的关注是因为它有着原先传统封装技术所无法带来的特点。首先,与传统的封装技术相比,三文封装在尺寸和重量上有


三文封装目前之所以越来越受到广泛的关注是因为它有着原先传统封装技术所无法带来的特点。首先,与传统的封装技术相比,三文封装在尺寸和重量上有着明显的优越性,这也是三文封装所带来的最直观、最重要的优势。通过应用三文封装技术,可以使系统和电子元器件在尺寸上进行缩短,并且在重量方面变成原来的1/40—1/50倍,大大节约制作了结构所花费的制造成本和资源。表1则表明运用三文封装技术后与其他传统封装技术在体积及重量上进行比较后的情况。
表1 三文封装技术与其他传统封装技术在体积和重量上的对比(单位: cm3/Gbit)
    类型    容量/Mb    分立    二文    三文    分立/三文    二文/三文
重量    SRAM    1    1678    783    133    12.6    5.9
        4    872    249    41    21.3    6.1
    DRAM    1    1357    441    88    15.4    5.0
        4    608    179    31    19.6    5.0
        16    185    69    69    16.8    6.2
体积    SRAM    1    3538    2540    195    18.1    13.0
        4    1588    862    145    10.9    5.9
    DRAM    1    2313    1542    132    17.5    11.6
        4    862    590    113    7.6    5.2
        16    363    227    113    3.2    2.0
其次,在应用三文封装技术后,电子元器件产品在硅片的利用效率方面也获得了巨大的改变。在整个制造电子产品的过程当中,芯片焊接在焊盘上所占据的面积大小是封装技术中一个最为关键性的技术问题,决定着产品的好坏与否。在三文封装技术中,它和传统的二文封装技术相比,更能充分地利用硅片基板的有效面积区域,也就是提升了硅片的使用效率,达到超过对硅使用效率100%的目标,使用性能也因此而大大改善,制造出来的电子元器件产品在使用方面的工作效率获得大大提升,在工作性能上呈现出更加出色的态势。图1-1表示了MCM和三文封装技术之间的硅片利用效率比较。
 MCM和三文封装技术之间的硅片利用效率比较图
此外,在电子和数字控制系统的运行过程当中,经常也会伴随噪声的出现。而这些噪声的产生往往和封装形式以及互连的设计方式有着密切的联系。同时,噪声的大小是由电子信号通过互连时所需要的上升时间所决定的。三文封装技术正是可以降低信号的互连长度,并且在对互连伴随的寄生性上也存在降低的作用,从而能够减少和降低了电子系统中的噪声,并且随之也提高了系统的稳定性。
除了上述几个方面的特点之外,三文封装在其他许多方面也存在着很多其他传统的封装方式所不具备的优势,例如:在电子线路的延迟方面,由于三文封装技术使得各芯片以及电子元器件之间的联系也就更加紧凑。在互连方式上采用了垂直互连,使得互连长度变短了,进而大大缩短了电路之间信号传输的延迟时间,使得整个系统也因此有了更快的反应效率。而在电子元器件运行速度和功耗方面,在使整个系统功耗进一步减小的状况下,系统的运行和反应速度都没有发生降低,反而得到了显著的提高。正是由于现在不断的采用三文封装技术,因而目前电路系统的设计自由度也在不断提高,而且在开发的设计时间周期上也在不断的有了相应减小。 ANSYS三维封装结构有限元模拟(4):http://www.751com.cn/jixie/lunwen_40469.html
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