B3    2    40    0.156    1.2    5.0    40℃24H
100℃24H    600℃2H    小角XRD衍射峰    无小角XRD衍射峰
C3    2    40    0.232    1.2    5.0    40℃24H
100℃24H    600℃2H    小角XRD衍射峰    无小角XRD衍射峰
D3    2    40    0.093    1.2    5.0    40℃24H
100℃24H    600℃2H    小角XRD衍射峰    有小角XRD衍射峰（伴杂峰）
E3    2    40    0.470    1.2    5.0    40℃24H
100℃24H    600℃2H    强小角XRD衍射峰    无小角XRD衍射峰
F3    2    40    0.390    1.2    5.0    40℃24H
100℃24H    600℃2H    强小角XRD衍射峰    无小角XRD衍射峰
G3    2    40    0.620    1.2    5.0    40℃24H
100℃24H    600℃2H    强小角XRD衍射峰    无小角XRD衍射峰
H3    2    40    0.380    1.2    5.0    40℃24H
100℃24H    600℃2H    强小角XRD衍射峰    无小角XRD衍射峰
I3    2    40    0.500    1.2    5.0    40℃24H
100℃24H    600℃2H    无小角XRD衍射峰    无小角XRD衍射峰
J3    2    40    0.430    1.2    5.0    40℃24H
100℃24H    600℃2H    无小角XRD衍射峰    无小角XRD衍射峰
A3,B3,C3,D3,E3,F3,G3,H3,I3,J3的小角XRD图见图2.7-2.17
 
图2.7  A3在空气焙烧除去碳后Co3O4/SiO2的小角XRD图

 
图2.8 B3在空气焙烧除去碳后Co3O4/SiO2的小角XRD图
 
图2.9 C3在空气焙烧除去碳后Co3O4/SiO2的小角XRD图
 
图2.10 D3在管式炉氮气中中焙烧后除去碳后Co3O4/SiO2/C的小角XRD图
 
图2.11 D3在空气焙烧除去碳后Co3O4/SiO2的小角XRD图
图2.12 E3在空气焙烧除去碳后Co3O4/SiO2的小角XRD图
图2.13 F3在空气焙烧除去碳后Co3O4/SiO2的小角XRD图
图2.14 G3在空气焙烧除去碳后Co3O4/SiO2的小角XRD图
图2.15 H3在空气焙烧除去碳后Co3O4/SiO2的小角XRD图
图2.16 I3在管式炉氮气中中焙烧后除去碳后Co3O4/SiO2/C的小角XRD图
 
图2.17 J3在管式炉氮气中中焙烧后除去碳后Co3O4/SiO2/C的小角XRD图
结果与讨论:从小角XRD的图谱中可以看出D3的Co3O4/SiO2/C峰型比较好，强度较大，2θ在正确的角度1°上出峰，并且在除去模板剂后的XRD图上仍然可以保持良好的小角峰，在0.8°-1°上出峰，之前的峰有可能是掺入了一些杂原子，使晶胞参数变大，晶面距离增大导致峰面左移，也有可能是装样时样品高于玻片水平面，而在1°上的峰尖锐且强度大说明产物可能形成晶型墙比较好的介孔材料。而其他配比的样品在除去模板剂后小角峰都消失了，说明之前很有可能是碳源出现的峰，并不是氧化钴形成的峰[19]。 介孔氧化铈氧化钴纳米孔材料的可控制备及性能研究(8):http://www.751com.cn/huaxue/lunwen_9928.html