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NiMnGa薄膜的磁控溅射制备与表征(4)

时间:2020-12-08 21:33来源:毕业论文
2样品制备与表征方法 2.1样品制备 样品采用磁控溅射的方法在射频磁控溅射装置中溅射制得。磁控溅射的工作原理如下,电子在电场E的作用下,在飞向基

2样品制备与表征方法

2.1样品制备

样品采用磁控溅射的方法在射频磁控溅射装置中溅射制得。磁控溅射的工作原理如下,电子在电场E的作用下,在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞,使其电离产生出Ar 和新的电子;新电子飞向基片,Ar 在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。在溅射粒子中,中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜,而产生的二次电子会受到电场和磁场作用,产生E(电场)×B(磁场)所指的方向漂移,简称E×B漂移,其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场,则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动,它们的运动路径不仅很长,而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内,并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材,从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加,二次电子的能量消耗殆尽,逐渐远离靶表面,并在电场E的作用下最终沉积在基片上。

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