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Ag衬底上硅烯的初始生长过程模拟+程序(2)

时间:2020-11-14 11:38来源:毕业论文
也正因为硅烯晶格结构的轻微屈曲(LB),本质上来说是杂化轨道的不同而产生的更多特性,例如具有较大的自旋轨道耦合强度,硅烯相比于石墨烯而言它

也正因为硅烯晶格结构的轻微屈曲(LB),本质上来说是杂化轨道的不同而产生的更多特性,例如具有较大的自旋轨道耦合强度,硅烯相比于石墨烯而言它在狄拉克点处所打开的能隙更大。这使得硅烯可在液氮温度下实现量子自旋霍尔效应,加上硅烯具有直接电子带隙以及拓扑相过渡机制的性质,它已成为一种全新的二维拓扑绝缘体。而且硅纳米带(nanoribbons)的电学性质和磁学性质都会受到纳米带的尺寸,有无氢钝化以及取向(orientation)的影响。有理论研究指出,在有外加电场和交换场的情况下,硅烯可以实现各种可调的量子效应,这包括量子反常霍尔态、谷极化金属态等等。而用圆偏振光照射硅烯,则可实现不同拓扑对称性的拓扑绝缘态,而这些性质可能会给新纳米器件的研发提供新的选择[2]。

硅烯的化学性质异常活拨,具有亲电和亲核的双重反应性,因此硅烯能进行许多化学反应,进而生成一些不常见的化合物,而且硅烯对许多反应具有很好的专一性。硅烯的反应性主要取决于它前线轨道通的不同情况,同过硅烯前线轨道的情况我们可以预测其所参与反应的反应途径和反应的难易程度,以及可能的反应产物。单重态简单硅烯未成键的电子位于硅烯的σ轨道,也就是HOMO轨道,而硅烯的LUMO轨道则为p空轨道。因此硅烯在σ轨道方向具有亲核性,在p轨道方向具有亲电性。从而表现出双重反应活性[3]。

Ag衬底上硅烯的初始生长过程模拟+程序(2):http://www.751com.cn/wuli/lunwen_64788.html
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