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异质结半导体CdS-TiO2的制备及光催化性能研究(5)

时间:2021-03-04 19:45来源:毕业论文
1.3.3 CdS-TiO2复合半导体光催化机理 从几何学上以及能量上分析了复合半导体催化剂CdS-TiO2的光催化过程。当用足够激发能量的光照射时,TiO2和CdS同时发生带

1.3.3 CdS-TiO2复合半导体光催化机理

从几何学上以及能量上分析了复合半导体催化剂CdS-TiO2的光催化过程。当用足够激发能量的光照射时,TiO2和CdS同时发生带间跃迁。由于导带和价带能级的差异,光生电子聚集在TiO2的导带,而空穴则聚集在CdS的价带,光生载流子得到分离,从而提高了量子效率。另一方面,当光子能量较小(500-760nm)时,TiO2本身未被激发,只有CdS发生带间跃迁,CdS中产生的激发电子输运至TiO2的导带而使得光生载流子分离,而光激发产生的空穴仍留在CdS的价带,所以这种电子从CdS 向TiO2的迁移拓宽了TiO2的吸收波长[18]

异质结半导体CdS-TiO2的制备及光催化性能研究(5):http://www.751com.cn/huaxue/lunwen_70786.html
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