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不同的Cu/Co比对Cu-Co/Ce-Zr-O催化剂的低温CO氧化活性的影响(6)

时间:2017-01-09 11:15来源:毕业论文
从图谱来看,峰面积表示反应掉氢的多少,即参与反应的氢的量。已知催化剂中活性成分越多,峰面积越大,即催化剂中活性成分的含量与参与反应的氢成


从图谱来看,峰面积表示反应掉氢的多少,即参与反应的氢的量。已知催化剂中活性成分越多,峰面积越大,即催化剂中活性成分的含量与参与反应的氢成正比,由以下反应看出:
 
再者,一般来说,催化剂颗粒越小表面积越大,与氢接触的机会增多,越容易反应,说明催化剂活性成分在载体表面分散性越好,低温还原能力越强;催化剂活性成分颗粒越大,低温还原能力越差。
从图中可以看出基本有四个还原峰,分别为α、β、γ和δ峰。根据文献报道以及以往我们的实验数据,α、β和γ峰为CuO对氢的还原峰,α峰为在铈锆固溶体载体表面高分散的CuO的还原峰,β峰为在载体表面中等颗粒的CuO的还原峰,γ峰为离开载体表面单独存在的大颗粒CuO的还原峰,而δ峰为钴的还原峰。
图中从上往下比较,α峰的还原温度依次为:146.2℃、141.2℃、136.0℃和136.0℃,说明随着钴掺杂量的增加,活性成分CuO在载体表面的分散度越来越差,只有掺杂微量的钴,如0.05的组分才与Cu/Ce0.6Zr0.4O2没掺杂的组分一样。β峰的还原温度依次为:164.6℃、161.6℃、154.4℃和155.5℃,可以看出,掺杂量为0.05的组分还原温度最低。γ峰的还原温度依次为:189.2℃、174.9℃、168.8℃和0℃,说明当掺杂钴元素后,均出现了第三个峰-γ峰。表明钴的掺杂不利于CuO的均匀分散,但当钴元素掺杂量为0.25时,出现了第四个肩峰-δ峰。这可能是出现了大颗粒的钴的缘故。而前两个峰没有肩峰-δ峰出现,可能是由于钴高度分散的缘故。由此可以判断,γ峰应该是CuO和Co3O4共同的还原峰。
在本次实验当中在测定Cu/Ce0.6Zr0.4O2的图图谱出现了误差,其还原峰的峰面积过小,其顶点偏右,所以该Cu/Ce0.6Zr0.4O2的图谱并非Cu/Ce0.6Zr0.4O2的正确峰面积。根据分析,在实验中在测Cu/Ce0.6Zr0.4O2  的时候可能由于药品潮湿所以出现的峰有所偏差。也有可能在测定操作的时候基线没有走平就直接进行了实验的操作,或者是仪器本身就存在硬性偏差等等。这都是由于实验不仔细,没有检查好药品的质量,自己操作的规范性和仪器的完好性,因此造成了实验误差的后果,下次做实验一定吸取这方面的教训。而该图谱的顶点准确位置应在所有图谱顶点的最左边,且峰面积要更大些。
从活性评价的结果来看,CO完全氧化所需的温度越低,催化剂的催化活性就越强;从H2-TPR谱图中还原峰来看,低温峰向低温方向迁移的越多,催化剂的低温还原特性越好。在本图谱中,先从峰面积来看,掺杂钴后的峰面积都比没有掺杂的CuO/Ce0.6Zr0.4O2催化剂的峰面积大,说明钴元素的掺杂,促进了低温还原,有利于催化剂活性的提高。
 
4结论
对Cu0.95Co0.05/Ce0.6Zr0.4O2 , Cu0.9Co0.1/Ce0.6Zr0.4O2,Cu0.75Co0.15/Ce0.6Zr0.4O2 分别进行催化剂活性评价实验和X射线衍射实验(XRD)、程序升温还原(H2-TPR)进行表征,最终得出以下结论:
(1)、在一系列不同含量CuxCo1-x的CuxCo1-x/Ce0.6Zr0.4O2催化剂中,
当Co掺杂量为0.05时,Cu0.95Co0.05/Ce0.6Zr0.4O2催化剂的CO氧化活性最高。(2)、三类催化剂催化活性的大小:Cu0.95Co0.05/Ce0.6Zr0.4O2>Cu0.9Co0.1/Ce0.6Zr0.4O2>Cu0.75Co0.15/Ce0.6Zr0.4O2 。
(3)、XRD分析结果表明,晶体衍射峰越大,该晶体所呈现的颗粒也越大。当催化剂表面刚刚产生晶相CuO时所制备的催化剂的催化活性最高,如CuxCo1-x/Ce0.6Zr0.4O2系列催化剂中的Cu0.95Co0.05/Ce0.6Zr0.4O2催化剂表面开始产生晶相CuO,催化活性最高, CuxCo1-x/Ce0.6Zr0.4O2系列催化剂中的Cu0.95Co0.05/Ce0.6Zr0.4O2催化剂,大颗粒的CuO开始向刚开始产生晶相CuO的时候转变,催化剂的活性最佳。 不同的Cu/Co比对Cu-Co/Ce-Zr-O催化剂的低温CO氧化活性的影响(6):http://www.751com.cn/huaxue/lunwen_2002.html
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